即將登陸科創(chuàng)板 拓荊科技助力產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展

即將登陸科創(chuàng)板的拓荊科技股份有限公司(簡稱“拓荊科技”)近日相繼完成網(wǎng)上路演活動、開啟網(wǎng)上網(wǎng)下申購并發(fā)布中簽結果，公司距離科創(chuàng)板上市再近一步。

公開資料顯示，拓荊科技成立于2010年4月，是沈陽市乃至遼寧省重點培育的上市后備企業(yè)和中國半導體設備五強企業(yè)之一，主要從事高端半導體專用薄膜沉積設備的研發(fā)、生產(chǎn)以及技術服務，產(chǎn)品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、原子層沉積 (ALD)設備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備三個系列，是目前國內(nèi)為數(shù)不多的產(chǎn)業(yè)化應用集成電路PECVD、SACVD設備廠商之一。

“公司立足自主創(chuàng)新，先后承擔多項國家重大科技專項課題，在半導體薄膜沉積設備領域積累了多項研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的核心技術，并達到國際先進水平。” 拓荊科技表示，公司擁有先進的薄膜工藝設備設計技術、反應模塊架構布局技術等，不僅解決了薄膜表面顆粒數(shù)量少、快速成膜、設備產(chǎn)能穩(wěn)定高速等關鍵難題，還在保證薄膜工藝性能的同時提升了客戶產(chǎn)線的產(chǎn)能，大大減少了生產(chǎn)成本。

拓荊科技相關負責人表示，薄膜沉積設備技術門檻高，研發(fā)難度大，生產(chǎn)中不僅需要在成膜后檢測薄膜厚度、均勻性、光學系數(shù)、機械應力及顆粒度等性能指標，還需要對最終芯片產(chǎn)品進行可靠性和生命周期測試，以衡量薄膜沉積設備是否最終滿足技術標準。因此，下游客戶對薄膜沉積設備技術要求高，對于新興廠商而言，需要具備強大的技術能力才能獲取客戶信任。

經(jīng)過十多年的技術積累，拓荊科技已形成覆蓋20余種工藝型號的薄膜沉積設備產(chǎn)品，可以適配國內(nèi)先進的28/14nm邏輯芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128層3D NAND FLASH晶圓制造產(chǎn)線，滿足下游集成電路制造客戶對于不同材料、不同芯片結構薄膜沉積工序的設備需求。其中，PECVD設備已全面覆蓋邏輯電路、DRAM存儲、FLASH閃存集成電路制造各技術節(jié)點產(chǎn)線多種通用介質(zhì)材料薄膜沉積工序，并研發(fā)了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先進介質(zhì)材料工藝，一舉打破了薄膜沉積設備長時間被歐美和日本廠商壟斷的局面。

本次IPO，拓荊科技計劃將募集資金主要用于高端半導體設備擴產(chǎn)、先進半導體設備的技術研發(fā)與改進以及ALD設備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化等項目。“上市后，在加強產(chǎn)品技術研發(fā)的同時，公司還將逐步培育和完善國內(nèi)相關產(chǎn)業(yè)鏈，通過與國內(nèi)供應商的深度合作與磨合，推動設備關鍵部件的國產(chǎn)化開發(fā)及驗證，提高設備零部件的國產(chǎn)化率以及產(chǎn)品品質(zhì)。”拓荊科技表示，公司還將利用國產(chǎn)設備廠商的綜合優(yōu)勢，為客戶提供定向的技術開發(fā)與服務，以助力半導體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，保障產(chǎn)業(yè)鏈的技術先進性。

業(yè)內(nèi)人士分析，作為半導體產(chǎn)業(yè)的重要支撐，半導體專用設備是國家高度重視和重點支持的戰(zhàn)略新興行業(yè)。像拓荊科技這類具備“硬科技”屬性的高新技術企業(yè)，其發(fā)行上市獲取資本助力，既符合科創(chuàng)板“硬科技”板塊的定位，也契合國家發(fā)展戰(zhàn)略，具有借助資本市場實現(xiàn)跨越式發(fā)展的正面示范效應。